蓝宝石晶片衬底基板Sapphire Wafer Substrates Substrates
蓝宝石的组成为氧化铝(Al2O3),是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合而成,其晶体结构为六方晶格结构,它常被应用的切面有A-Plane、C-Plane及R-Plane,由于蓝宝石的光学穿透带很宽,从近紫外光(190nm)到中红外线都具有很好的透光性,具有优异的光学性能、机械性能和化学稳定性,因此被大量用在光学元件、红外装置、高强度镭射镜片材料及光罩材料上,它具有高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、高透光性、熔点高(2045℃)等特点,被广泛应用于半导体发光二极管(LED)、大规模集成电路作为光电元件的材料。目前超高亮度白/蓝光LED的品质取决于氮化镓磊晶(GaN)的材料品质,而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关,蓝宝石(单晶Al2O3 )C面与Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族沉积薄膜之间的晶格常数失配率小,同时符合GaN磊晶制程中耐高温的要求,使得蓝宝石晶片成为制作白/蓝/绿光LED的关键材料。
蓝宝石晶片规格Sapphire Wafer Specifications
●材料Material:高纯度(> 99.996%),单晶Al2O3
●晶向Orientation:C-plane向面(0001)± 0.3°
●对M轴偏离角度Off-set Angle toward M-axis:0.20 ± 0.05°
●对A轴偏离角度Off-set Angle toward A-axis:0.0 ± 0.1°
●直径Dismeter:150.8mm+/-0.15mm; 200.0+/-0.3mm; 250.0 ± 0.5mm; 300.0+/-0.5mm;
●厚度Thickness:430+/-25um; 650+/-25um; 650+/-25um; 1300+/-25um
●总厚度偏差TTV:<10μm
●表面总平整度TIR:≦10μm
●弯曲度WARP:WARP ≦15μm
●翘曲度BOW:-10 ~ 0μm
●定位面方向Primary Flat Location:C-plane面(0001)与M-plane面(1-100)0.2°±0.1°或 C-plane面(0001)为A-plane面(11-20),0°±0.1°
●定位面偏离角度Flat Off-set Angle:0.0 ± 0.2°
●定位边长Primary Flat Length:16 ± 0.5mm
●表面粗糙度Frontside Surface Roughness: RA ≦ 3Å(即Ra ≦ 0.3nm),Polished/Fine ground精细抛光(开盒即用)
●背面粗糙度Backside Surface Roughness:Polished/Fine ground精细研磨,(Ra) Ra = 0.5 ~ 1.0μm
●包装Package:100级洁净室内真空冲氮25片盒包装
我们公司提供直径为6"、8"、10"、12"、和15"的衬底外延抛光片, 以及基板薄片切割/毛坯片达到客户要求的标准(异形切磨抛、抛光后表面、不同厚度)。
我们可以提供不同晶向的蓝宝石基板片,包括А向面、C向面、M向面和R向面,也可以生产不同的形状(圆形,长方形或正方形),直径可以根据客户的要求从几毫米至200毫米不等。
我们可以生产用于光学应用领域的蓝宝石抛光片及研磨片,在光谱分布区间0.25至4.50μm中的透光率为85%,薄片的厚度从0.15毫米至1.0毫米不等,这取决于其应用领域。
我们的设备能够从晶体生长的时刻到最终产品制造对晶片生产进行严格精确控制,FarCreate所有产品都经过精确设计和制造,能满足客户严格的规格要求,FarCreate 的蓝宝石产品主要用于发光二极管 (LED)、蓝宝石硅片射频集成电路 (SoS RFIC) 和光学应用等市场,涵盖国防航空航天、红外传感器、医疗设备、大功率激光系统、通讯、高精密仪器仪表、半导体和光学器件等领域。